于富成 1972年10月生，韩国忠南国立大学工学硕士和博士，硕士生导师，银河8366cc功能材料系教师。
2008年9月至2009年8月在韩国汉阳大学半导体工学院任全职研究员。2010年5月入职银河8366cc。
硕博期间研究方向为分子束外延法制备GaMnAs和GaMnN稀磁性半导体纳米薄膜材料及其掺杂改性等。2008年至今，主要研究方向有ZnO纳米薄膜材料的制备、掺杂改性和缺陷设计，ZnO和g-C3N4单体纳米结构材料的设计与合成，Zn基和g-C3N4基新能源复合材料的设计、合成以及在绿色环保领域应用的研究等。Nanoscale Advances等期刊审稿人，发表SCI收录论文50余篇、EI收录论文若干篇，曾主持甘肃省自然科学基金、留学回国人员择优资助基金、甘肃省博士后择优资助基金及吉林大学光电子实验室开放基金等课题。
